光伏晶圓表面形貌測量

發(fā)布日期:2021-12-17    瀏覽次數(shù):1625

光伏晶圓表面形貌測量(CL1+MG140)

晶圓是制作IC最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體材料,晶圓的質(zhì)量將直接決定IC成品的質(zhì)量好壞。由于工藝水平不同,晶圓可能會在生產(chǎn)階段產(chǎn)生冗余物、晶體缺陷和機(jī)械損傷三種缺陷。

因此,高效準(zhǔn)確的檢測設(shè)備,是提供高可靠性晶圓材料的保證。相較于傳統(tǒng)人工檢測而言,機(jī)器視覺檢測具有精度高、效率高、可連續(xù)性以及非接觸式避免污染等優(yōu)勢。

隨著集成電路的關(guān)鍵尺寸變得越來越小,缺陷的尺寸也相應(yīng)有所縮小。同時(shí),大規(guī)模晶圓生產(chǎn)對于檢測速度有著較高要求。凌云視覺方案重點(diǎn)推薦大靶面高速線掃描相機(jī),搭配大靶面專用放大倍率鏡頭。為了突出晶圓表面細(xì)微的瑕疵,還需要搭配高亮度同軸線掃描光源。

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